یک نیمه هادی با شکاف باند رکوردی ایجاد شده است دانشمندان آمریکایی از ایجاد یک نیمه هادی جدید با گسترده ترین شکاف نواری در بین تمام نیمه هادی های مورد استفاده در دستگاه های الکترونیکی - بیش از هفت الکترون ولت (eV) خبر داده اند. این بر اساس اکسید گالیم آلومینیوم دوپ شده با سیلیکون و رشد بر روی یک بستر یاقوت کبود است. این دستاورد ممکن است به بهبود کارایی وسایل نقلیه الکتریکی، شبکه های برق و مراکز داده کمک کند.

یک نیمه هادی با شکاف باند رکوردی ایجاد شده است دانشمندان آمریکایی از ایجاد یک نیمه هادی جدید با گسترده ترین شکاف نواری در بین تمام نیمه هادی های مورد استفاده در دستگاه های الکترونیکی - بیش از هفت الکترون ولت (eV) خبر داده اند. این بر اساس اکسید گالیم آلومینیوم دوپ شده با سیلیکون و رشد بر روی یک بستر یاقوت کبود است. این دستاورد ممکن است به بهبود کارایی وسایل نقلیه الکتریکی، شبکه های برق و مراکز داده کمک کند.