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Un semi-conducteur avec une bande interdite record a été créé Des scientifiques américains ont rapporté la création d'un nouveau semi-conducteur avec la bande interdite la plus large de tous les semi-conducteurs utilisés dans les appareils électroniques - plus de sept électrons volts (eV). Il est à base d’oxyde d’aluminium et de gallium dopé au silicium et cultivé sur un substrat saphir. Cette réalisation pourrait contribuer à améliorer l’efficacité des véhicules électriques, des réseaux électriques et des centres de données.

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Un semi-conducteur avec une bande interdite record a été créé Des scientifiques américains ont rapporté la création d'un nouveau semi-conducteur avec la bande interdite la plus large de tous les semi-conducteurs utilisés dans les appareils électroniques - plus de sept électrons volts (eV). Il est à base d’oxyde d’aluminium et de gallium dopé au silicium et cultivé sur un substrat saphir. Cette réalisation pourrait contribuer à améliorer l’efficacité des véhicules électriques, des réseaux électriques et des centres de données.

Un semi-conducteur avec une bande interdite record a été créé Des scientifiques américains ont rapporté la création d'un nouveau semi-conducteur avec la bande interdite la plus large de tous les semi-conducteurs utilisés dans les appareils électroniques - plus de sept électrons volts (eV). Il est à base d’oxyde d’aluminium et de gallium dopé au silicium et cultivé sur un substrat saphir. Cette réalisation pourrait contribuer à améliorer l’efficacité des véhicules électriques, des réseaux électriques et des centres de données.

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